Beth yw'r MISFET?

Elfen sylfaenol o ddyfeisiau lled-ddargludyddion yn parhau i dyfu. Mae pob dyfais newydd yn y maes, mewn gwirionedd, y syniad o newid pob system electronig. Newid galluoedd dylunio cylched wrth ddylunio dyfeisiau newydd yn ymddangos arnynt. Ers dyfodiad y transistor cyntaf (1948 g) ei basio amser hir. Cafodd ei dyfeisio strwythur "PNP" a "NPN", transistorau deubegwn. Dros amser roedd yn ymddangos MIS transistor, yn gweithredu ar yr egwyddor o newidiadau yn y dargludedd trydanol yr haen wyneb lled-ddargludyddion o dan ddylanwad maes trydan. Felly enw arall ar gyfer yr elfen hon - cae.

TIR talfyriad ei hun (metel-ynysydd-lled-ddargludyddion) nodweddu strwythur mewnol cyfarpar hwn. Ac yn wir, y caead yn cael ei ynysu oddi wrth y ffynhonnell a draen gyda haen heb fod yn dargludol tenau. Mae gan transistor MIS Modern hyd porth 0.6 micron. Trwy dim ond yn gallu pasio maes electromagnetig - ei fod yn effeithio ar y cyflwr trydanol y lled-ddargludyddion.

Gadewch i ni edrych ar sut mae'r maes-effaith transistor, a chael gwybod beth yw'r prif wahaniaeth o deubegwn "brawd." Pan fydd y capasiti angenrheidiol ar ei glwyd mae maes electromagnetig. Mae'n effeithio ar gwrthiant y gyffordd gyffordd ffynhonnell-draen. Dyma rai manteision o ddefnyddio ddyfais hon.

• Yn y cyflwr agored gwrthiant pontio llwybr draen-ffynhonnell yn fach iawn, ac MIS transistor wedi cael ei ddefnyddio'n llwyddiannus fel allwedd electronig. Er enghraifft, efallai y bydd yn rheoli mwyhadur gweithredol, osgoi'r llwyth neu i gymryd rhan yn y cylchedau rhesymeg.
• Hefyd am nodi a mewnbwn uchel rhwystriant y ddyfais. Mae'r opsiwn hwn yn eithaf berthnasol wrth weithio mewn cylchedau foltedd isel.
• capasiti draen-ffynhonnell pontio Isel caniatáu MIS transistor mewn dyfeisiau amledd uchel. Dan unrhyw aflunio yn digwydd yn ystod trosglwyddo signal.
• Datblygu technolegau newydd wrth gynhyrchu elfennau arwain at greu IGBT-transistors, sy'n cyfuno creu nodweddion cadarnhaol y cae a chelloedd deubegwn. modiwlau Power seiliedig arnynt yn cael eu defnyddio'n eang mewn cyrsiau cyntaf meddal a converters amlder.

Wrth gynllunio a gweithredu'r elfennau hyn mae'n rhaid eu cymryd i ystyriaeth fod y transistorau MIS yn sensitif iawn i overvoltage yn y cylched a thrydan statig. Hynny yw, gall y ddyfais yn cael ei niweidio os ydych yn cyffwrdd y terfynellau rheoli. Wrth osod neu gael gwared ar y defnydd sylfaen arbennig.

Rhagolygon ar gyfer y defnydd o'r ddyfais hon yn dda iawn. Oherwydd ei briodweddau unigryw, mae'n cael ei defnyddio'n eang mewn offer electronig amrywiol. cyfarwyddiadau Arloesol mewn electroneg modern yw defnyddio grym IGBT-fodiwlau ar gyfer gweithredu mewn gwahanol gylchdeithiau, gan gynnwys, a sefydlu.

Mae'r dechnoleg eu cynhyrchu yn cael ei gwella'n barhaus. Mae'n cael ei ddatblygu ar gyfer hyd graddio (gostyngiad) giât. Bydd hyn yn gwella paramedrau perfformiad eisoes yn dda o'r ddyfais.